Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках

Main
Technique - Electronics
Механизмы образования и миграции...

Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках

Вавилов В.С., Кив А.Е., Ниязова О.Р.

0 / 0

Sukakah anda buku ini?

Bagaimana kualiti fail ini?

Muat turun buku untuk menilai kualitinya

Bagaimana kualiti fail yang dimuat turun?

Kategori:

Technique - Electronics

Tahun:

1981

Bahasa:

russian

Halaman:

368

Fail:

DJVU, 10.04 MB

IPFS:

,

russian, 1981

Baca dalam Talian

Penukaran menjadi sedang dijalankan

Penukaran menjadi gagal

Mungkin anda berminat

Вавилов В.С. и др. — Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках

Воробьев А.А. — Ионные и электронные свойства щелочногалоидных кристаллов.

Купряжкин А.Я. и др. — Дефекты и диффузия газов в кристаллах.

Орлов А.Н., Трушин Ю.В. — Энергии точечных дефектов в металлах

Палатник, Сорокин — Материаловедение в микроэлектронике

Поут Дж.М. (ред) — Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками

Вяткин А.Ф. — Взаимодействие лазерных, электронных и ионных пучков с поверхностью твердых тел: Часть 3. Взаимодействие ионных пучков с поверхностью твердых тел: Курс лекций

Асабина Е.А. — Дефекты в твердых телах и их влияние на свойства функциональных материалов: Электронное учебно-методическое пособие

Вавилов В. С., Ухин H. А. — Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах

Коршунов Ф.П., Гатальский Г.В., Иванов Г.М. — Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах

Фистуль В.И. — Амфотерные примеси в полупроводниках

— Сборник. Вопросы теории плазмы

Под ред. Дж.М. Поута и др.; Пер. с англ. Н.К. Мышкина и др.; Под ред. А.А. Углова — Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками

Ладыгин Е.А. (ред.) — Действие проникающей радиации на изделия электронной техники

Чеботин В. Н. — Физическая химия твердого тела

Чеботин В.Н. — Физическая химия твердого тела

Романовский Е.А., Коваль А.Г., Мельничук И.А., Борисов А.Г., Бажин А.И., Рыжов В.Н., Дробнич В.Г., Медведев С.Ю., Поп С.С., Есаулов В.А., Петухов В.П., Мирахмедов М.Н., Шароди И.С., Бандурин Ю.А., Белых Л.С., Дащенко А.И., Грицына В.В. И др. — Взаимодействие ионов с поверхностью. Материалы XII международной конференции 5-8 октября 1995 г. Том 2

Пранявичюс Л., Дудонис Ю. — Модификация свойств твёрдых тел ионными пучками

Горшков О.Н., Михайлов А.Н., Васильев В.К. — Применение методов резерфордовского обратного рассеяния ионов и ионно-индуцированного рентгеновского излучения для анализа элементного состава и структурного совершенства твердых тел

Бобыль А.В., Карманенко С.Ф. — Физико-химические основы технологии полупроводников

Вологдин Э.Н., Лысенко А.П. — Интегральное радиационное изменение параметров полупроводниковых материалов

Воробьев А.А. — Ионные и электронные свойства щелочногалоидных кристаллов. т1

Углов В.В., Черенда Н.Н., Анищик В.М. — Методы анализа элементного состава поверхностных слоев

Асабина Е.А. — Дефекты в твердых телах и их влияние на свойства функциональных материалов

Бажин А.И. Плешивцев Н.В., — Физика воздействия ионных пучков на материалы

Вавилов В.С. — Действие излучений на полупроводники

Костюк А.Б. и др. — Физические основы ионно-лучевой модификации металлических нанокластеров в диэлектрических слоях

Авен М., Пренер Дж. — Физика и Химия Соединений AII-BVI

Двуреченский А.В., Качурин Г.А., Нидаев Е.В., Смирнов Л.С. — Импульсный отжиг полупроводниковых материалов

Абдуллаев Г.Б., Джафаров Т.Д. — Атомная диффузия в полупроводниковых структурах

Случинская И.А. — Основы материаловедения и технологии полупроводников

Снитко О.В (ред) — Физические основы полупроводниковой электроники

Вавилов В.С., Кив А.Е., Ниязова О.Р. — МЕХАНИЗМЫ ОБРАЗОВАНИЯ И МИГРАЦИИ ДЕФЕКТОВ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ

Случинская И.А. — Основы материаловедения и технологии полупроводников. Москва

Кашкаров П.К. — Образование точечных дефектов в полупроводниковых кристаллах

Istilah utama

дефектов

диффузии

облучения

излучения

полупроводниках

поверхности

радиационных

электронов

зависимость

миграции

миграция

энергией

процессы

кристалла

электронами

диффузия

облучении

образования

проводимости

кристаллах

кристаллов

примесей

результаты

изменения

распределения

приводит

концентрации

диффузию

температуры

образование

радиационного

структуры

зависимости

результате

квантами

скорость