Электрофизические свойства карбина

Main
Электрофизические свойства карбина

Электрофизические свойства карбина

Праздников Юрий Евгеньевич

0 / 0

Sukakah anda buku ini?

Bagaimana kualiti fail ini?

Muat turun buku untuk menilai kualitinya

Bagaimana kualiti fail yang dimuat turun?

Tahun:

2004

Bahasa:

russian

Halaman:

89

Nama siri:

Диссертация на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук

Fail:

PDF, 1.11 MB

IPFS:

,

russian, 2004

Baca dalam Talian

Penukaran menjadi sedang dijalankan

Penukaran menjadi gagal

Mungkin anda berminat

Кудин, В. И.Мартинович, В. А. — Электрические свойства металлов и полупроводников

Под ред. Л. Майссела, Р. Глэнга. Пер. с англ. под ред. М. И. Елинсона, Г. Г. Смолко — Технология тонких пленок

Губанков В.Н. — Солитоны

Богомазова, Наталья Валентиновна — Основы материаловедения

Каленик, Д. В. — Технология материалов электроники Ч. 2

М. И. Елинсон, Г. А. Кудшгцева, Ю. А. Кулюпин. Р. Д. Федорович, А. С. Сухариер, В. И. Покалякин, П. М. Томчук. — Ненакаливаемые катоды.

Поут Дж., Ту К., Мейер Дж.(Poate J.M., Tu K.N., Mayer J.W.) — Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции

Епифанов, Г.И.; Мома, Ю.А. — Физические основы конструирования и технологии РЭА и ЭВА Учеб. пособие дя вузов по спец. ''''Конструирование и пр-во радиоаппаратуры''''

Романовский М.Н. — Интегральные устройства радиоэлектроники. Часть 1. Основные структуры полупроводниковых интегральных схем

Юсупов А.Р. — Приборы молекулярной электроники: вертикальный транзистор

Качарова М.С., Казакова Л.П. — Изучение вентильного фотоэлемента: методические указания к лабораторной работе

Юсупов А.Р. — Приборы молекулярной электроники: вертикальный транзистор

Хамакава Й., Под редакцией Й.Хамакавы. Перевод с английского А.Н.Морозова, Ю.С.Сафонова, В.А.Исаакяна. Под редакцией С.С.Горелика. — Аморфные полупроводники и приборы на их основе. (Amorphous semiconductor: Technologies & Devices, 1983) . Ежегодный обзор. Научное издание

Костылев С.А., Шкут В.А. — Электронное переключение в аморфных полупроводниках

Стриха.В. — Контактные явления в полупроводниках

Майссел Леон, Под редакцией Л.Майссела, Р.Глэнга. Перевод с английского Под редакцией М.И.Елинсона, Г.Г.Смолко. — Технология тонких пленок. Справочник

Митрофанов О.В. и др. — Микроэлектроника

Поут Дж. и др. — Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции

Юсупов А.Р.;Рец.: Екомасов Е.Г., д-р физ.-мат. н., профессор (БашГУ) Рахмеев Р.Г., к.физ.-мат. н., преподаватель (БГПУ им. М. Акмуллы) — Приборы молекулярной электроники: вертикальный транзистор

Романовский М.Н. — Интегральные устройства радиоэлектроники. Часть 1. Основные структуры полупроводниковых интегральных схем

Троян П.Е. — Твердотельная электроника

Кудин В.И., Мартинович В.А. — Электрические свойства металлов и проводников

Усанов Д.А., Яфаров Р.К. — Исследование автоэлектронной эмиссии из наноуглеродных материалов

Сажин Б.И., Лобанов А.М., Романовская О.С. — Электрические свойства полимеров

Ильин В.И., Мусихин С.Ф., Шик А.Я. — Варизонные полупроводники и гетероструктуры

Гасанли Ш.М., Мурсакулов Н.Н., и др. — Особенности механизмов проводимости в гетероструктурах Si/олиго-β-нафтол/металл

Касаткин С.И., Васильева Н.П., Муравьев А.М. — Многослойные тонкопленочные магниторезистивные элементы

Кудин В.И., Мартинович В.А. — Электрические свойства металлов и полупроводников

Ржанов А.В. — Свойства структур металл-диэлектрик-полупроводник

Гаркуша Ж.М. — Основы физики полупроводников

Достанко А.П. и др. — Электрофизические процессы и оборудование в технологии микро - и наноэлектроники

Тареев Б.М., Лернер М.М. — Оксидная изоляция

Львова — Учетная политика организации: Рабочая тетрадь

Троян П. Е. — Твердотельная электроника

Федоров М. В. — Туннельный эффект в вырожденном p–n – переходе

Istilah utama

электронов

солитонов

инжекции

проводимости

толщиной

ориентированного

углерода

контакта

солитоны

зависимости

островковой

диэлектрика

углеродных

носителей

свойства

солитона

зависимость

образцов

механизм

образцах

диэлектрик

напряжения

запрещенной

проводимость

углеродной